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美股美光科技可能终于实现这一目标

发布时间:2020-12-28 17:36
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美光科技(NASDAQ:MU)首席执行官Sanjay Mehrotra在2020年12月1日瑞士信贷第24届年度技术虚拟经纪人大会上总结了NAND供应:
“NAND方面,虽然我们看到在数量和定价方面比我们之前对11月季度的指导预期更好,但NAND行业一如我们之前所分享的,继续面临挑战。当然,我们已经采取措施管理我们的供应增长,正如我们在日历年2021年所说的,将低于行业需求。我认为NAND行业需要继续采取行动来更好地管理供应,否则在2021年,NAND可能会出现供不应求的风险。”
关于管理比特币供应的言论是值得注意的,因为比特币供应管理不善是导致ASPs下降和NAND和dram库存过剩的原因,而美光及其竞争对手过去一年一直受到这些问题的困扰。
超支对资本支出的影响
在我2020年8月24日,寻求α的文章,题为“微米技术的问题:公司不经济,”我讨论这个问题我们看到在NAND和DRAM asp继续下跌都直接关系到贫穷的控制资本支出,不仅为微米,而且同行。
例如,2018年三星(OTC:SSNLF)年度资本支出为+77%,SK资本支出为+76%,MU资本支出为+41%。由于意识到资本支出的增加导致芯片供应过剩,存储公司在第二年大幅削减了开支。2019年,三星削减了31%的资本支出,SK削减了13%,MU增加了3%。
图1显示了2018年第二季度至2020年第四季度服务器资本支出与美光DRAM和NAND出货量的对比。
美股美光科技可能终于实现这一目标
表1

图2显示了我对2018年和2020年全球NAND供需总量的年度预测,与图1中的产能过剩相关。我的分析表明,虽然晶圆启动(晶圆数量)的年增长率在5%至7%之间(2019年下降10%除外),但技术的进步使每个晶圆的位出货量每年增长30%至40%。
根据我报告,图表2预测未来四年NAND的产量将超过需求。
这些数据是基于资本支出预测(新工厂,WFE支出)和NAND需求,主要是服务器ssd。我在2020年12月14日,Seeking Alpha的文章中讨论了NAND对服务器存储的需求,题为“美光和希捷:尽管存在反对意见,但首选存储”。

美股美光科技可能终于实现这一目标
表2

图3说明了NAND(和DRAM)由于图2所示的供应过剩而导致的asp下降。事实上,内存行业是周期性的,这是由于过度的资本支出导致的供应过剩时期,以提高产能,随后是一段时间的asp下降,因为内存供应商降低价格以消除库存过剩。
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图3
图4显示,DRAM行业也处于供过于求的时期,但我的数据显示,供需动态将在2021年趋于缓和。这应会导致短期内ASPs上升,特别是考虑到covid -19衰退后宏观经济因素有所改善,以及5G智能手机增长带来的利好。
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图4
比较各公司的ASP性能
图5显示了2019年第一季度至2020年第四季度所有NAND供应商(蓝线)和美光的混合asp。这里我们看到asp的持续下降,正如上面讨论的,由于过度的资本支出和NAND供应过剩。我们还看到,MU的ASP在所有NAND供应商中仅占50%的混合ASP(注:混合ASP数据也包括MU)。
美股美光科技可能终于实现这一目标
图5

通过比较,美光的DRAM asp可与表6中所有供应商的混合asp进行比较。我在2020年11月2日,Seeking Alpha的一篇文章中讨论了这个问题,题为“微米技术:竞争激烈的DRAM但性能不佳的NAND”。
美股美光科技可能终于实现这一目标
图6

在2020年,内存部分的Bit增长是混合的。2019年NAND钻头产量同比增长持平,但需求从35%下降至30%。到2020年,DRAM bit的增长速度下降了5%,降至14%,而需求增长了1%至16%。
2020年全年pc需求强劲,而由于工作/学习留在家里,服务器需求在上半年强劲,但在2020年下半年疲软。相反,智能手机需求在2020年上半年疲软,在2020年下半年强劲。
正如我在文章中多次提到的那样,这在纸面上是可以理解的,但这些memory的ceo们不会坐下来喝一杯咖啡,然后决定增加或减少多少产量来稳定供需动态。相反,他们各自决定(记住他们是竞争对手)资本支出的多少,而且总是会有超支。我们在图1中看到了这一点,并在图5和图6中继续看到了asp的持续下降。
在增加比特出货量和降低NAND和DRAM制造成本方面,前景一片光明。然而,虽然一家公司可能会率先引入176层NAND或DDR5 DRAM,其他公司也不会落后。这就解释了为什么一家内存公司的正面消息通常会引发所有竞争对手的股价上涨。
美光的第五代176层3D NAND与96层的NAND相比,层数提高了40%,芯片尺寸减少了30%,写和读延迟减少了35%,原始数据传输速率提高了33%。这将使这些公司能够提高这些芯片的销售价格给客户。
在DRAM领域,竞争日益激烈。三星、SK海力士和美光都在2020年宣布了各自的DDR5计划,计划在2021年生产。预计DDR5产品将有助于提高芯片制造商的盈利能力,因为其单价高于DDR4 dram。DDR4 dram的单价是DDR3 dram的1.5倍。DDR5 dram的定价可能与此类似。这一进步的关键是内存密度——DDR5的内存密度是其前身DDR4的两倍。
DDR5是迄今为止技术最先进的DRAM。基于美光的行业领先的1znm工艺技术,DDR5提供了超过85%的内存性能提高。它们可以以6400兆比特每秒的速度传输数据,是DDR4 DRAM 3200兆比特每秒速度的两倍。DDR5 dram运行的工作电压为1.1 V,这标志着从DDR4芯片的1.2 V降低了9%。DDR5最大容量为64gb,是DDR4的4倍。
随着全球经济渡过疫情,随着全球经济增长,对更多内存和存储的需求也将继续扩大。内存公司需要做的是实现供需同步。否则,这些公司将继续削减资本支出,只会因为生产过剩而导致运营利润率下降。

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